[글로벌] TSMC 4나노 칩, 美서 양산 시작...첨단 기술 새 역사

2025-01-14     김현기 대표
TSMC /사진=디디다 컴퍼니 제공

지나 러몬도 미국 상무장관은 "미국 역사상 처음으로 미국 땅에서 4나노미터(㎚, 10억분의 1미터) 칩을 생산하고 있다"고 지난 10일(현지시간) 외신과의 인터뷰에서 밝혔습니다. 세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 기업인 대만 TSMC가 애리조나 공장에서 최첨단 4나노 칩 양산을 시작한 것입니다.

러몬도 장관은 인터뷰에서 "미국 노동자들이 수율과 품질 면에서 대만과 동등한 수준의 첨단 4나노미터 칩을 생산하고 있다"며 "이것은 큰 성과로 이전에는 이뤄진 적이 없었고 많은 사람이 불가능하다고 여겼던 일"이라고 평가했습니다.

그는 이 성과가 상무부가 TSMC를 설득해 미국 내 사업 확장을 이끌어낸 결과라고 설명했습니다. 러몬도 장관은 "이 일은 저절로 이루어진 것이 아니"라고 하면서 "TSMC가 확장을 원하도록 우리가 설득해야 했다"고 강조했습니다.

외신에 따르면 러몬도 장관은 미국이 2030년까지 세계 최첨단 칩의 20%를 자국에서 생산하기를 희망한다고 밝혔습니다.

미 상무부는 지난해 11월 반도체법에 따른 자금 조달 프로그램을 통해 TSMC에 66억달러(약 9조7336억원) 보조금을 지원하기로 확정했습니다. 조 바이든 행정부는 글로벌 반도체 기업들이 미국 내 공장을 건설하도록 유도하기 위해 2022년 초당적 지지를 얻어 527억달러(약 77조7219억 원) 규모의 반도체법을 통과시킨 바 있습니다.

TSMC는 지난해 4월 미국 내 투자 규모를 250억달러(약 36조8700억원)에서 650억달러(약 95조8620억원)로 확대하고 2030년까지 애리조나주에 2나노 공정이 적용될 세번째 팹(반도체 생산공장)을 건설할 계획을 발표했습니다.  번째 팹은 2028년부터 최첨단 2나노 공정 기술을 적용한 웨이퍼 양산을 목표로 하고 있습니다. 또한 세번째 팹은 2030년 말 이전에 2나노 또는 ‘A16’(1.6나노 공정) 생산을 계획하고 있습니다.

이와 같은 계획이 미국 반도체 산업의 경쟁력을 얼마나 강화할 수 있을지 궁금합니다.

자료=미디어뱀부
정리=김현기 기자 khk@techm.kr