SK하이닉스, HBM4 개발 완료…양산 체제 구축
HBM 주도권 유지…10나노급 5세대 D램 투입
SK하이닉스가 6세대 고대역폭메모리(HBM) 'HBM4'도 한발 앞서간다.
SK하이닉스는 HBM4 개발을 완료하고 양산 체제를 세계 최초로 구축했다고 12일 밝혔다.
HBM은 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 속도를 높인 D램이다. 주로 인공지능(AI) 반도체에 들어간다. 개발 완료는 고객사 승인을 획득했다는 뜻, 양산 체제 구축은 고객사 확보를 마쳤다는 뜻이다. HBM4는 차세대 엔비디아 반도체가 사용할 예정이다.
SK하이닉스는 HBM 1위다. 이를 바탕으로 지난 1분기 D램 매출액 1위 지난 2분기 전체 메모리반도체 매출 1위에 등극했다.
SK하이닉스는 "새로운 AI 시대를 견인하게 될 HBM4 개발에 성공하고 이 기술적 성과를 기반으로 세계 최초의 HBM4 양산 체제를 구축했다"라며 "이를 통해 AI 메모리 기술 리더십을 글로벌 시장에서 다시 한번 입증했다"라고 평가했다.
조주환 SK하이닉스 HBM개발담당은 "HBM4 개발 완료는 업계에 새로운 이정표가 될 것"이라며 "▲고객이 요구하는 성능 ▲에너지 효율 ▲신뢰성을 모두 충족하는 제품을 적시에 공급해 AI 메모리 시장에서의 경쟁 우위를 확보하고 신속한 시장 진입(Time to Market)을 실현할 것"이라고 말했다.
HBM4는 5세대 HBM 'HBM3E' 대비 데이터 전송 통로(I/O)를 2배 확대했다. 대역폭이 2배 늘어났다. 초당 처리할 수 있는 데이터 용량이 2배다. 전력 효율은 40% 이상 개선했다. HBM4를 탑재한 AI 반도체는 HBM3E 내장 AI 반도체보다 AI 성능을 최대 69% 높일 수 있다. 동작 속도는 10기가비피에스(Gbps)다.
HBM4에 투입하는 D램은 10나노미터(nm)급 5세대(1b나노) D램을 활용했다. 어드밴스드 MR-MUF 공정으로 쌓아 올린다. 액체 형태 보호재를 D램 사이에 넣어 회로 보호와 열 방출을 하는 기술이다.
김주선 SK하이닉스 AI인프라 사장(CMO, 최고마케팅책임자)은 "HBM4는 AI 인프라의 한계를 뛰어넘는 상징적인 전환점으로 AI 시대 기술 난제를 해결할 핵심 제품"이라며 "AI 시대가 요구하는 최고 품질과 다양한 성능의 메모리를 적시에 공급해 전체 AI 메모리 공급사(풀스택 AI 메모리 프로바이더)로 성장해 나가겠다"라고 전했다.
윤상호 기자 crow@techm.kr