삼성전자가 초거대 AI 시대를 주도할 차세대 메모리 솔루션을 대거 선보였다.

20일(현지시간) 삼성전자는 미국 실리콘밸리에 위치한 맥에너리 컨벤션 센터에서 '삼성 메모리 테크 데이2023'을 열고 AI 기술 혁신을 이끌 초고성능 HBM3E D램 '샤인볼트'를 처음 공개했다.

HBM(고대역폭 메모리)은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 제품이다. AI 분야 데이터 처리에 쓰이는 그래픽처리장치(GPU)에 필수적으로 탑재되기 때문에 최근 큰 주목을 받고 있다. 이날 삼성전자가 공개한 HBM3E은  5세대 HBM으로 분류된다.

샤인볼트는 데이터 입출력 핀 1개당 최대 9.8Gbps의 고성능을 제공해 초당 최대 1.2TB 이상의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 30GB 용량의 UHD 영화 40편을 1초 만에 처리할 수 있는 속도다.

삼성전자는 NCF(비전도성 접착 필름) 기술 최적화를 통해 칩 사이를 빈틈없이 채워 고단 적층을 구현했으며, 열전도를 극대화해 열 특성 또한 개선했다고 설명했다.

삼성전자는 현재 HBM3 8단, 12단 제품을 양산 중이며, 차세대 제품인 HBM3E도 고객들에게 샘플을 전달하고 있다고 밝혔다. 또한 차세대 HBM D램과 최첨단 패키지 기술, 파운드리까지 결합된 맞춤형 턴키 서비스도 제공할 예정이다.

이외에도 삼성전자는 ▲현존 최대 용량 '32Gb DDR5 D램'▲업계 최초 '32Gbps GDDR7 D램' ▲저장 용량을 획기적으로 향상시켜 최소한의 서버로 방대한 데이터를 처리할 수 있는 'PBSSD(Petabyte Storage)' 등을 소개했다.

또 차세대 PC·노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 'LPDDR5X CAMM2'과 스토리지 가상화를 통해 분할 사용이 가능한 'Detachable AutoSSD(탈부착 가능한 차량용 SSD)'도 이목을 집중시켰다.

삼성전자 메모리사업부 이정배 사장은 "초거대 AI 시대는 기술 혁신과 성장의 기회가 교차하는 지점으로, 업계에 더 큰 도약과 함께 도전의 시간이 될 것"이라며, "무한한 상상력과 담대한 도전을 통해 혁신을 이끌고, 고객·파트너와의 밀접한 협력으로 한계를 뛰어넘는 확장된 솔루션을 제공해 메모리 시장을 지속 선도해 나갈 것"이라고 말했다.

이정배 사장은 이날 행사에서 새로운 구조와 소재 도입을 통해 초거대 AI 시대에서 직면한 난제를 극복해 나가겠다고 강조했다.

지난 5월 12나노급 D램 양산을 시작한 삼성전자는 차세대 11나노급 D램도 업계 최대 수준의 집적도를 목표로 개발 중이라고 밝혔다. 또 10나노 이하 D램에서 3D 신구조 도입을 준비하고 있으며, 이를 통해 단일 칩에서 100Gb 이상으로 용량을 확장할 계획이다.

삼성전자는 9세대 V낸드에서 더블 스택 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중이며, 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보했다고 밝혔다. 삼성전자는 셀의 평면적과 높이를 감소시켜 체적을 줄이고, 단수를 높이는 핵심 기술인 채널 홀 에칭으로 1000단 V낸드 시대를 준비해 나가겠다고 강조했다.

남도영 기자 hyun@techm.kr