SK하이닉스는 지난 19일 '제52회 상공의 날' 기념식에서 장태수 부사장이 대통령 표창을 받았다고 20일 밝혔다.

장 부사장은 최단 기간 '10나노미터(nm)급 6세대(1c) 16기가비트(Gb) 더블데이터레이트(DDR)5 D램'을 개발한 공로를 인정받았다.

그는 20년 동안 메모리반도체 선행 기술 및 소자 연구에 종사했다. 44나노부터 10나노까지 10세대에 걸쳐 핵심기술 개발에 참여했다.

장 부사장은 "1c DDR5 D램 개발로 SK하이닉스는 기술 리더십을 더욱 공고히 할 것"이라며 "D램 셀 크기를 줄이면 동일 규격의 실리콘 안에 더 많은 D램 셀을 배치할 수 있는데 규격이 정해진 고대역폭메모리(HBM)의 칩 크기 및 높이를 유지하면서 용량을 높일 수 있다"라고 설명했다.

또 "셀 크기가 작아져 여유 공간이 생기므로 HBM 내부에 다양한 설계를 시도해 여러 기능을 추가할 수도 있다"라며 "미세화를 통해 작아진 칩과 감소된 전력은 HBM 열 관리에도 긍정적인 효과를 낸다"라고 덧붙였다.

윤상호 기자 crow@techm.kr