삼성전자가 경쟁사와 반도체 기술 격차가 줄어들고 있다는 투자자들의 우려에 대해 "문제없다"며 자신감을 드러냈다.

29일 삼성전자 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 한진만 삼성전자 부사장은 "연구개발(R&D)을 통해 원가 경쟁력과 성능, 파워 등 모든 면에서 경쟁력 지속 확보하겠다"고 밝혔다.

이날 컨퍼런스콜에 앞서 접수한 사전 질문에서 투자자들은 경쟁사의 176단 낸드 출시, DDR 전환시 복잡한 공정으로 인한 원가 경쟁력 감소 등의 우려를 드러냈다.

한 부사장은 "V낸드 경쟁력에 있어 삼성이 가장 큰 고민은 단수 자체가 아니다"라며 "이미 싱글 스택 128단을 쌓으며 업계 최고 에칭 기술 확보했고, 이러한 스택을 얼마나 효율적으로 쌓아올릴지에 대한 시점과 방법에 대한 고민 중"이라고 말했다.

그는 "이제는 낸드플래시 단수에 집중하기보단 쌓아올린 스택 높이가 효율성 측면이나 원가 측면에서 얼마나 경쟁력 있는지가 집중할 포인트"라고 덧붙였다.

이어 한 부사장은 "D램 세대가 거듭되고 공정 미세화되면서 원가 절감 기울기 낮아지고 난이도가 올라가고 있다"며 "하이-K 메탈 게이트 공정 등 다양한 요소 기술을 확보하고 있으며, 1차로 적용된 제품은 양산에 무조건 도입되는 건 아니고 면밀한 검토후 최종 적용할 것"이라고 말했다.

그는 "14나노 기반 DDR5 제품은 EUV를 5레이어에 적용해 원가 경쟁력을 확보하고 있다"며 "DDR5 생태계는 내년부터 차츰 형성돼 비트그로스 이뤄질 것"이라고 말했다.

남도영 기자 hyun@techm.kr